Вопросы к экзамену по дисциплине «Материалы и элементы электронной техники»
1. Классификация материалов по электрическим свойствам. Виды проводников, полупроводников, диэлектриков.
2.
Классификация диэлектриков. Виды
активных и пассивных диэлектриков.
Краткое описание активных диэлектриков.
3.
Классификация материалов по магнитным,
структурным свойствам, агрегатному
состоянию и типам химических связей.
4.
Строение атома. Энергия атома. Принцип
Паули. Квантовые числа.
5.
Типы химических связей. Энергия связи.
6.
Кристаллическая структура твердых тел.
Виды сингоний. Определение индексов
Миллера.
7.
Дефекты кристаллической решетки.
Точечные, линейные, поверхностные,
объемные.
8.
Динамика кристаллической решетки.
Оптическая и акустическая моды. Фононы.
9.
Образование энергетических зон в
кристаллах. Разрешенные и запрещенные
зоны. Классификация кристаллов с точки
зрения зонной теории.
10.
Физические свойства металлов и сплавов.
Влияние свободных электронов на
физические свойства (теплоемкость,
электропроводность, блеск). Типы сплавов.
11.
Зонная теория металлов. Распределение
электронов по энергиям. Энергия Ферми.
Скорость дрейфа, подвижность электронов.
12.
Электропроводность металлов. Зависимость
тока от электрического поля. Механизмы
рассеяния электронов.
13.
Зонная структура собственных
полупроводников. Процессы генерации и
рекомбинации. Уровень Ферми.
14.
Зонная структура примесных полупроводников.
Донорные и акцепторные уровни. Генерация
носителей в примесных полупроводниках.
15.
Концентрация носителей заряда в
собственных полупроводниках. Эффективные
плотности состояний. Положение уровня
Ферми. Температурная зависимость.
16.
Концентрация носителей заряда в примесных
полупроводниках. Закон действующих
масс. Зависимость концентрации от уровня
Ферми. Температурная зависимость.
17.
Процессы переноса носителей заряда.
Диффузионный и дрейфовый токи. Соотношение
Эйнштейна. Удельное электрическое
сопротивление.
18.
Неравновесные носители заряда. Инжекция
и экстракция. Время релаксации.
Распределение концентрации во времени
и пространстве.
19.
Электропроводность в сильных электрических
полях. Зависимость подвижности и скорости
дрейфа от напряженности электрического
поля. Виды ионизации. Эффект Зенера.
20.
Многодолинные полупроводники. Эффект
Ганна.
21.
Работа выхода. Контакт металл-металл.
Зонная диаграмма.
22.
Контакт металл-полупроводник. Образование
ОПЗ и контактной разности потенциалов.
Создание омического контакта.
23.
Приложение внешнего напряжения к
контакту Шоттки. ВАХ контакта Шоттки.
24.
Электронно-дырочный переход. Образование
потенциального барьера.
25.
Влияние внешнего напряжения на
p-n-переход. ВАХ p-n-перехода.
26.
Гетеропереходы. Образование энергетических
разрывов. Потенциальные барьеры.
Приложение внешнего поля к гетеропереходу.
27.
Физические свойства диэлектриков.
28.
Электропроводность диэлектриков. Виды
электропроводности. Механизмы переноса
носителей заряда.
29.
Поляризация диэлектриков. Виды
поляризации. Диэлектрическая
восприимчивость.
30.
Сегнетоэлектрики. Образование доменной
структуры. Зависимость электрической
индукции от напряженности электрического
поля. Механизм возникновения спонтанной
поляризации.
31.
Пьезоэлектрики. Прямой и обратный
пьезоэлектрический эффекты. Механизм
возникновения поляризации. Принцип
работы кварцевого резонатора.
32.
Пироэлектрики. Прямой и обратный
пироэлектрический эффекты. Вторичный
пироэффект. Применение пироэлектриков.
33.
Электреты. Способы получения электретов.
Применение электретов.
34.
Жидкие кристаллы. Виды жидких кристаллов.
Применение жидких кристаллов.
35.
Магнитные материалы. Виды магнитных
материалов. Образование спонтанной
намагниченности.
Магнитомягкие
и магнитотвердые материалы. Их применение.
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]
- #
- #
- #
- #
- #
- #
- #
- #
- #
- #
- #
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Отлично
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Отлично
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отлично
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает — и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Отлично
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Хорошо
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Отлично
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Отлично
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отлично
Отзыв о системе «Студизба»
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Хорошо
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Отлично
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Отлично
Подготовься к экзаменам
Учись благодаря многочисленным ресурсам, которые есть на Docsity
Получи баллы для скачивания
Получи 10 баллов для скачивания за каждый загруженный документ и дополнительные баллы в зависимости от количества скачиваний
Экзамены из Материалы электронной техники Для студентов Инженерия
У нас более 12 документов по Материалы электронной техники которые ты можешь скачать.
Предмет не найден, нажми Enter, чтобы искать
Материалы электронной техники
Вы смотрите 12 документы по Материалы электронной техники
1
Определите сопротивление проволочного резистора из константана при температуре T2=623KT2=623K, если при температуре T1=293KT1=293K сопротивление проволочного резистора 500 Ом, температурный коэффициент удельного электрического сопротивления константана αρ=1.5⋅10−6K−1αρ=1.5·10-6K-1, температурный коэффициент линейного расширения константа αl=10−5K−1αl=10-5K-1.
Ответ округлите до одного знака после точки. В качестве разделителя используйте точку.
2
Определить концентрацию свободных электронов в алюминии, если алюминий кристаллизуется в решетке гранецентрированного куба, а период решетки алюминия – a=0.4041нмa=0.4041нм. Принять, что на каждый атом кристаллической решетки приходится три электрона.
Результат представьте в виде x⋅10−29м−3x·10-29м-3. В ответ введите х, округлив до двух знаков после точки.
3
Определить тангенс угла диэлектрических потерь конденсатора К10-51-Н70-2,2нФ±± 20%, если конденсатор включен в цепь переменного напряжения U = 100 В частотой f = 1 МГц, а мощность рассеиваемая конденсатором равна Pa=10−3ВтPa=10-3Вт.
Результат представьте в виде x⋅10−6x·10-6. В ответ введите х, округлив до двух знаков после точки.
4
Эффект поля в полупроводнике — это:
| изменение электропроводности приповерхностного слоя полупроводника под воздействием электрического поля; | ||
| возникновение в полупроводнике электрического поля, напряженность которого перпендикулярна магнитной индукции и потоку диффундирующих частиц под действием электромагнитного излучения; | ||
| возникновение поперечной напряженности электрического поля в полупроводнике вследствие наличия продольного градиента температур и поперечного магнитного поля. |
6
Вычислите период кристаллической решетки свинца, если плотность свинца γ=11.34⋅103кгм3γ=11.34·103кгм3, молярная масса свинца M=207.2⋅10−3кгкмольM=207.2·10-3кгкмоль.
Ответ дать в нм, округлив до трех знаков после точки.
7
Определите потери на гистерезис за один цикл перемагничивания, отнесенные к единице объема ферромагнетика. На ферромагнетик воздействует переменное магнитное поле с амплитудой напряженности магнитного поля Hm=20АмHm=20Ам. Эмпирическая постоянная β=100мАβ=100мА.
Ответ округлите до двух знаков после точки. В качестве разделителя используйте точку.
9
Определить электрическое смещение внутри пластины изотропного диэлектрика с диэлектрической проницаемостью ε=3.7ε=3.7, если пластина расположена нормально вектору напряженности однородного электрического поля E0=370ВмE0=370Вм.
Ответ дать в нКлм2нКлм2 с точностью до второго знака. В качестве разделителя используйте точку.
10
Определить пироэлектрический коэффициент ниобата лития, если при увеличении температуры на ΔT=10КΔT=10К изменение поляризованности составляет ΔP=2⋅10−2Клм2ΔP=2·10-2Клм2.
Ответ укажите в мКлм2⋅KмКлм2·K, округлив до целого значения.
Рабочая программа
Основная литература
Дополнительная литература
Материалы электронной техники : Учебник для вузов / В. В. Пасынков, В. С. Сорокин. — 3-е изд. — СПб. : Лань, 2001. — 368 с. : ил. — (Учебники для вузов. Специальная литература). — ISBN 5-8114-0409-3
Доступно в библиотеке:
30
экземпляров
Учебно-методическое пособие
Материалы и элементы электронной техники : Учебно-методическое пособие по выполнению курсового проекта / Л. Р. Битнер, Р. М. Капилевич ; Федеральное агентство по образованию, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Кафедра физической электроники. — Томск : [б. и.], 2006. — 31 с.
Доступно в библиотеке:
71
экземпляр
Материалы и элементы электронной техники : Методические указания к лабораторным работам / Л. Р. Битнер, Р. М. Капилевич ; Федеральное агентство по образованию, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Кафедра физической электроники. — Томск : ТУСУР, 2006. — 47 с.
Доступно в библиотеке:
41
экземпляр
Материалы и элементы электронной техники : учебно-методическое пособие по аудиторным практическим занятиям и самостоятельной работе / Л. Р. Битнер ; Федеральное агентство по образованию, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск : ТУСУР, 2007. — 47 с.
Доступно в библиотеке:
50
экземпляров
Контрольные испытания
| Вид контроля | Семестры |
|---|---|
| Экзамен | 3 |
Объем дисциплины и виды учебной деятельности
| Вид учебной деятельности | 1 семестр | 2 семестр | 3 семестр | 4 семестр | 5 семестр | 6 семестр | 7 семестр | 8 семестр | Всего | Единицы |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Лекционные занятия | 26 | 26 | часов | |||||||
| Практические занятия | 18 | 18 | часов | |||||||
| Лабораторные занятия | 16 | 16 | часов | |||||||
| Самостоятельная работа | 48 | 48 | часов | |||||||
| ↳ из них практическая подготовка | 0 | часов | ||||||||
| Подготовка и сдача экзамена/зачета | 36 | 36 | часов | |||||||
| Общая трудоемкость | 144 | 144 | часов | |||||||
| 4 | 4 | З.Е |
Компетенции
| Код | Содержание |
|---|---|
| ОПК-2 | Способен самостоятельно проводить экспериментальные исследования и использовать основные приемы обработки и представления полученных данных |
| ПКС-11 | Способен строить простейшие физические и математические модели приборов, схем, устройств и установок электроники и наноэлектроники различного функционального назначения, а также использовать стандартные программные средства их компьютерного моделирования |